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转载自impresswatch中文网
两种规格DDR4并存?
据报新一代的DDR4内存将会拥有两种规格。根据多位半导体业界相关人员的介绍,DDR4内存将会是Single-endedSignaling( 传统SE信号)方式DifferentialSignaling( 差分信号技术 )方式并存。其中AMD公司的PhilHester先生也对此表示了确认。预计这两个标准将会推出不同的芯片产品,因此在DDR4内存时代我们将会看到两个互不兼容的内存产品。
据介绍美国JEDEC将会在不久之后启动DDR4内存峰会,而这也标志着DDR4标准制定工作的展开。一般认为这样的会议召开之后新产品将会在3年左右的时间内上市,而这也意味着我们将可能在2011年的时候使用上DDR4内存,最快也有可能会提前到2010年。
JEDEC表示在7月份于美国召开的存储器大会MEMCON07SanJose上时就考虑过DDR4内存要尽可能得继承DDR3内存的规格。使用Single-endedSignaling( 传统SE信号)信号方式则表示64-bit存储模块技术将会得到继承。不过据说在召开此次的DDR4峰会时,DDR4 内存不仅仅只有Single-endedSignaling方式,大会同时也推出了基于微分信号存储器标准的DDR4内存。
因此DDR4内存将会拥有两种规格。其中使用Single-endedSignaling信号的DDR4内存其传输速率已经被确认为1.6~3.2Gbps,而基于差分信号技术的DD4内存其传输速率则将可以达到6.4Gbps。由于通过一个DRAM实现两种接口基本上是不可能的,因此DDR4内存将会同时存在基于传统SE信号和微分信号的两种规格产品。
●明年春季可看到最新动向
很久之前JEDEC就开始通过非正式的“NGM(NewGenerationMemory)”对外展示高速存储器规格的相关设想。NGM的想法是在高速化上采用两种不同的信号方式。但是目前相关的想法只有在最近举行的Micron Technology出现了一下。同时通过JEDEC的内部峰会我也无法预测会做出什么样的发展。
不过我听说NGM曾经是DDR3内存的候选标准。不在DDR3内存方面,NGM也曾反对微分信号方言式。因此可以推测此次两种方式并行发展应该是一个折中的方案。
而在今年举行的一年一度的WinHEC大会上可以看到两个发展计划都在进行中。应该说Micron,WinHEC算得上是DDR3时代的代表,而通过WinHEC获得的信息以及发展路线图来看两种规格将会并行发展。同时从三星半导体的路线图来看,DDR4只是被作为DDR3内存的继任者。因此在目前这个阶段,两种标准的产品同时发展似乎是受到了DRAM厂商的一致认可。同时根据存储器业界人氏的消息,虽然是两种规格,但是相关的研发却不会一分为二。
不过现在,DDR4内存将会分为传统SE信号和微分信号的两种规格产品已经基本上确定了。同时从相关的产品命名来看,也与Micron的路线图很接近。因此 这个折中的方案算是真正被采用了。但是现在DDR4内存究竟会朝哪个方向发展还处于迷雾之中。一般来说NGM的Micron则主要推动向微分信号方向发展,但是三星公司在之前就已经提出过要发展串行接口DRAM的想法,并且对高速DRAM的开发有着很高热情。
在DRAM进行规格化的时候会出现各种各样的情况,大型DRAM厂商与CPU厂商的强强组合往往在背后对规格的发展方向起着很大的影响。因此在这个里面不仅仅只是DRAM厂商,CPU厂商也起决定作用。通常来说Intel与Samsung,AMD与Micron的组合是最为常见的。不过这一次却还搞不清楚究竟谁在带路。不过现在可以肯定的是CPU厂商反面会更期待早日推出支持更高传输速率的DRAM产品。
●CPU架构的变化期待望高传输速率DRAM
现在如果有CPU厂商进行交流的话,必然会提到“今后存储器将会成为发展的瓶颈”的意见。现在迅猛发展的多核心CPU确实是对DRAM的高传输率提出了更高的要求。目前在进行CPU开发的时候,为了解决内存上的瓶颈。每一代内存都不断得在容量上进行扩充。在单线程应用里凭借现有的将不会影响到CPU,同时由于避免了内存存取的障碍,因此可以通过单线程性能的提升持续提升CPU的性能。
但是现在的问题就是CPU正在朝着多核心方向发展。与以前的处理器相比,现在CPU越来越注意多线程性能的影响。特别是当CPU将GPU核心也集成在一起的话,那么现有的通用CPU的设计就开始跟不上了,在这个时候外部存储器的带宽就开始变得越来越重要。同时CPU也开始与GPU一样对存储器带宽提出了新的要求。
当然如果新一代的混合多核心处理器发展到一定程度的话,那么内存带宽的上需求就会与GPU达到同等水平。因此就有必要进一步提升存储器的带宽。目前最好的例子就是XDRDRAM目前已经实现了25.6GB/s的数据带宽。这种运算能力差不多相当于200GFLOPS。因此今后的CPU如果以最终实现1TFLOPS作为目标的话,那么就必须将CellB.E.no的带宽提升4倍,那么这样算来6.4Gbps的传输速率和128-bit的存储器接口就是必须的。
●当前主流DRAM发展模式将发生变化
考虑到CPU当前的情况的话,就不难理解DDR4目前的状况。Intel公司在RDRAM上遭遇失败之后,则重新回到了JEDEC内存规格的路线上来。不过AMD公司目前对于业界内存的标准也并没有支持。因此此次单信号高传输内存的开发则需要通过JEDEC使之规格化。因此对他们来说,理想的情况是JEDEC作为当前主流的内存规格制定高速DRAM的普及也推广,从而进一步降低标准内存产品的价格。
不过目前的情况还不明朗。最主要的是因为当前有两种规格。以胶JEDEC内存只制定了一种主流DRAM标准,而大部分的DRAM厂商也都按照这个标准进行生产。因此对于系统生产商们来说也可以自由得选择内存产品。同时由于DRAM厂商之间存在的竞争,也导致内存产品价格不断走低。但是这一次在DDR4内存的开发上却同时存在两个标准,这则就让人产生了相当的疑问。不过这也预示着将来主流DRAM的多展也将会向多样化方向前进。
●串行DRAM是一个方向吗?
Intel和Samsung在以前曾经想过将DRAM的接口进行串行化。特别是INTEL公司已经对外公布了全部的串行I/O,并且指出这将会是DRAM发展最后的挑战。而此次DDR4的分化发展则与Intel的理想是符合的。
应该说FB-DIMM内存产品可以算作是串行化的一个尝试。由于在串行传输过程中设置了缓存,从而实现了存储器的高速化与容量扩大的发展理想。如果坚持这条线路的话,那么DRAM接口肯定会向串行方向发展。
DDR4发展的分向,技术将会成为要点。这点可以通过微分信号了解到,不过问题是时钟是否是嵌入式。如果是嵌入式时钟就会成为PCIExpressraiku的串行接口,这样数据传输将会变得更容易。
总的来说,目前DDR4内存技术鲜明点并不多。同时在市场性方面与先行开发的Rambus的XDRDRAM有一定的重合。因此XDRDRAM内存将会是DDR4内存最大的障碍。同时由于会存在侵范Rambus的专利困绕。因此对于这一点将会是JEDEC今后的主要讨论论题。
出了DDR4 就要连带的推出新的processor和Motherboard.....所以如果到时出DDR4的时候要换还要考虑清楚。。。。 |
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